제 1 장 방사선 안전관리

4-2-2 반도체 검출기

방사선이 절연체나 반도체와 같은 고체 속을 통과할 때 전자(e-)와 양공(e+:양전자)을 생성하는데 이는 방사선에 의해 여기되어 구속된 전자가 이동하며 전자의 구멍에 해당되는 양공(+)이 남게 된다.
따라서 입사한 방사선으로 인해 발생된 전자와 양공의 양을 측정하면 방사선량을 측정 할 수 있는데 이를 고체검출기(Solid State Detector), 즉 반도체 검출기 (Semi-Conductor Detector)라고 한다.

특징으로는
-전자, 양공쌍을 만드는데 필요한 에너지가 1/10정도 이므로 동일한 에너지의 방사선이 입사해도 기체의 경우보다 10배정도의 전하를 만들 수 있다.
이는 기체의 경우 이온쌍생성에 필요한 에너지가 약 30eV정도 임에 반해 반도체 (Ge:2.9eV, Si:3.6eV)의 경우는 3eV정도이다.

-전자와 양공이 전극에 수집되는 시간은 기체 계수관에서의 이온쌍 수집시간에 비해 100배정도 빠르다.
-신호의 통계적 변화가 작으므로 에너지 분해능이 높다.

단점으로는 열에 매우 약하다.
방사선으로 인해 발생된 전자와 양공의 양을 측정하는 고체검출기는?
반도체 검출기         GM 계수관

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