제 2장 방사선 취급기술

 
2-2 반도체검출기
방사선이 절연체나 반도체와 같은 고체속을 통과할 때 전자( )와 양공( : 양전자)을 생성하는데 이는 방사선에 의해 여기되어 구속된 전자가 이동하며 전자의 구멍에 해당하는 양공( )이 남게 된다. 따라서 입사한 방사선으로 인해 발생된 전자와 양공의 양을 측정하면 방사선량을 측정할수 있는데 이를 고체검출기(Solid State Detector), 즉 반도체 검출기(Semi-Conductor Detector)라고 한다.
특징으로는
- 전자, 양공쌍을 만드는데 필요한 에너지가 1/10정도이므로 동일한 에너지의 방사선이 입사해도 기체의 경우보다 10배정도의 전하를 만들수 있다. 이는 기체의 경우 이온쌍생성에 필요한 에너지가 약 30eV 정도 임에 반해 반도체(Ge:2.9eV, Si:3.6eV)의 경우는 3eV 정도이다.
- 전자와 양공이 전극에 수집되는 시간은 기체 계수관에서의 이온쌍 수집시간에 비해 100배 정도 빠르다
- 신호의 통계적 변화가 작으므로 에너지 분해능이 높다 단점으로는 열에 매우 약하다
  다음 중 반도체 검출기의 특성으로 옳은 내용은?

에너지 분해능이 높다 열에 매우 강하다